会先封装在导热基板上，再打金线及封胶，这LED封装结构体具有轻盈，高热导及电路简略等长处，可应用在户外及室内照明。基板的挑选中，基板因是绝缘体，有必要有传导热规划，藉由电镀增厚铜层达75um；而硅是优秀导热体，但绝缘性不良，有必要在外表做绝缘处理。

  氧化铝基板及硅基板现在皆已应用于高功率LED的封装，由于LED发光功率仍有待提高，热仍是运用LED灯具上一定要处理的重要问题，因而LED导热功用有必要仔细剖析。要剖析导热功用一定要运用热阻仪来量测，以下的剖析将细分LED封装体结构，包含芯片层，接合层及基板层，来剖析每层热阻，剖析东西则是现在国际公认最准确的T3Ster仪器。本文将简略解析氧化铝基板及硅基LED板封装在热阻的体现(T3Ster仪器实测)，其间专有名词界说如下：

  将氧化铝应用在LED封装还在于氧化铝资料高绝缘性及可制造轻小的组件，但是，氧化铝基板应用在电子组件，会由于氧化铝资料导热系数低(约20K/W)，形成高热阻。图2为T3Ster热阻仪测验E公司氧化铝基板封装LED(LEDarea:1x1mm;LEDemitter:3.15x3.5mm))的成果，在25℃环境和温度下测验时，各封装层的热阻如下：

  3.氧化铝基板：20℃/W(高热阻,基板制造欠安)当175mA小电流转入在1x1mm2的LED芯片上，氧化铝基板因热阻的温升为10.5℃(=20x175mAx3.0V),热不易传导出LED芯片；当350mA电流转入在1x1mm2的LED芯片上，氧化铝基板因热阻的温升为23℃(=20x350mAx3.3V)，此刻氧化铝基板会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会发生很多光衰;而当500mA大电流转入在1x1mm2的LED芯片上时，氧化铝基板因热阻的温升大约为36℃(20x(500Ax3.6V)，此刻氧化铝基板也会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。因而，LED芯片封装若挑选氧化铝基板，因其热阻高，封装组件只合适运用在低功率(~175mA，约0.5W)。